DMTH69M8LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMTH69M8LFVW-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±16V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
