DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH8008LFG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 1mA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
80 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
17A (Ta), 70A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2254 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
POWERDI3333-8
