DMTH8030LPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50
DMTH8030LPDWQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
80V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
26mOhm @ 10A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
28.5A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
10.4nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
631pF @ 40V
Мощность - Макс.：
3.1W (Ta), 41W (Tc)
