DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWS120H100SM4 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Пакет устройств поставщика：
TO-247-4
Пакет/кейс：
TO-247-4
Технологии：
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
15V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 15 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
37.2A (Tc)
ВГС (Макс)：
+19V, -8V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1516 pF @ 1000 V
