DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
100A (Tc)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Технологии：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Пакет устройств поставщика：
TO-247-4
Пакет/кейс：
TO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max)：
429W (Tc)
ВГС (Макс)：
+19V, -8V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
28.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
156.3 nC @ 15 V
