DMWSH120H90SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H90SM4Q Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
40A (Tc)
Технологии：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Пакет устройств поставщика：
TO-247-4
Пакет/кейс：
TO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
ВГС (Макс)：
+19V, -8V
Power Dissipation (Max)：
235W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
97.5mOhm @ 20A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1112 pF @ 1000 V
