DSS4160FDBQ-7
SS Low Sat Transistor U-DFN2020-
DSS4160FDBQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Current - Collector Cutoff (Max)：
100nA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
60V
Тип транзистора：
2 NPN (Dual)
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Frequency - Transition：
175MHz
Current - Collector (Ic) (Max)：
1A
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type B)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
240mV @ 50mA, 1A
Мощность - Макс.：
405mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
290 @ 100mA, 2V
