DXTP3C100PDQ-13
SS Low Sat Transistor PowerDI506
DXTP3C100PDQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Current - Collector Cutoff (Max)：
100nA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Frequency - Transition：
100MHz
Тип транзистора：
2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)：
3A
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
170 @ 500mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
325mV @ 200mA, 2A
Мощность - Макс.：
1.76W
